Giới thiệu [1 CON] IGBT RJP30E2 TO-3P 35A 360V Kênh N (30E2)
IGBT RJP30E2 TO-3P 35A 360V Kênh N (30E2)
Mô tả: Description RJP30E2 IGBT 360V 35A Silicon N Ch 360V IGBT High Speed Power Switching functions
Thông số: - Trench gate technology (G5H series) - Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.7 V typ - High speed switching tf = 150 ns typ - Low leak current ICES= 1 μA max
Datasheets: https://alltransistors.com/adv/pdfview.php?doc=mgd622.pdf&dire=_1 .............................................................................. Điện tử Minh Nguyên CHIPN24 - 32/70/1D Ông Ích Khiêm, P.14, Q.11, TP.HCM (Hẻm 32 Gần ngã tư Bình Thới - Ông Ích Khiêm, vào hẻm 32/70 rẽ trái hẻm đầu tiên sẽ thấy số 1D) - Website: http://chipn24.com - Bán hàng: 028.6264.1482 - 0965.605.840 - 0868.532.813 - Kỹ thuật: 0906.810.765 - 0965.609.450 - BÁN HÀNG TRỰC TIẾP: TỪ T2-CN: 8h00' sáng - 20h00' tối - BÁN HÀNG ONLINE: TỪ T2-T7: 8h00' sáng - 16h00' chiều - HỖ TRỢ KỸ THUẬT: TỪ T2-T7: 8h00' sáng - 17h00' chiều
Hình ảnh sản phẩm
[1 CON] IGBT RJP30E2 TO-3P 35A 360V Kênh N (30E2)[1 CON] IGBT RJP30E2 TO-3P 35A 360V Kênh N (30E2)[1 CON] IGBT RJP30E2 TO-3P 35A 360V Kênh N (30E2)[1 CON] IGBT RJP30E2 TO-3P 35A 360V Kênh N (30E2)[1 CON] IGBT RJP30E2 TO-3P 35A 360V Kênh N (30E2)[1 CON] IGBT RJP30E2 TO-3P 35A 360V Kênh N (30E2) Giá vTUSD